P+F測距傳感器0BT300-R100-2EP-IO-L 

產(chǎn)品型號
OBT500-18GM70-E4-V1
OBT500-18GM70-E5
OBT500-18GM70-E5-V1
OBT50-4M35-E0
OBT50-R2-E0-Y814646
OBT50-4M45-E2-V3
OBT50-5GM35-E0
OBT50-5GM35-E2
OBT50-5GM45-E0-V3
OBT50-5GM45-E2-V3
OBT50-R2-E0
OBT50-R2-E0-1T
OBT50-R2-E2
OBT50-R2-E2-0 2M-V3
OBT50-R2-E2-0 2M-V31
OBT50-R2-E2-1T
OBT50-R2-E3-0 2M-V31
OBT50-R3-E0
OBT50-R3-E0-1T
OBT50-R3-E2
OBT50-4M35-E2
OBT50-4M45-E0-V3
產(chǎn)品描述
擴展的溫度范圍
-40°C .. 60°C
*防護等級IP69K
用于服務和過程數(shù)據(jù)的IO-接口
■扎實***的光電傳感器技術經(jīng)驗
■***的帶背景抑制功能的漫反射傳感器
■同一尺寸產(chǎn)品經(jīng)濟型和端型可選
■迷你型、小體積、矩形、圓柱形外形齊全
n常規(guī)傳感器、光通訊、測距傳感器種類齊全
■IP防護等級可達IP69K
■人性化的附加設計，如相互安裝無干擾、"4-和- 1”推挽輸出方式、優(yōu)良的抗外界光干擾能力、*亮度LEDs指示
參考目標物ReflectorH100-2R
光源類型紅外光, 905 nm
環(huán)境光極限50000 Lux
壓阻式傳感器
壓阻式傳感器是根據(jù)半導體材料的壓阻效應在半導體材料的基片上經(jīng)擴散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測量傳感元件，擴
散電阻在基片內接成電橋形式。當基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時，各電阻值將發(fā)生變化，電橋就會產(chǎn)生相應的不平衡輸出。
用作壓阻式傳感器的基片(或稱膜片) 材料主要為硅片和鍺片，硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來越受到人們的重視，尤
其是以測量壓力和速度的固態(tài)壓阻式傳感器應用為普遍。
P+F測距傳感器0BT300-R100-2EP-IO-L