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產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
倍加福P+F接近開關(guān)主要作用
NBN4-12GM50-E0-V1
NBN4-12GM50-E2
LVL-T1-G3S-E5PG-NA
NBN4-12GM50-E0
NCN25-F35-A2-250-V1
NJ40+U1+W
NJ5-18GM-N
NBN40-L2-E2-V1
NBN40-L2-A2-V1
NBN8-18GM50-E2-V1
NBB2-12GM50-E0
NBN4-12GM50-E2-V1
NJ4-12GM40-E2
詳情介紹：
倍加福P+F接近開關(guān)主要作用
介紹：
接近開關(guān)這種開關(guān)有時也叫電感式接近開關(guān)。它是利用導(dǎo)電物體在接近這個能產(chǎn)生電磁場接近開關(guān)時，使物體內(nèi)部開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測的物體必須是導(dǎo)電體。當(dāng)一塊通有電流的金屬或半導(dǎo)體薄片垂直地放在磁場產(chǎn)生渦流。這個渦流反作用到接近開關(guān)，使開關(guān)內(nèi)部電路參數(shù)發(fā)生變化，由此識別出有無導(dǎo)電物體移近，進而控制中時，薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應(yīng)。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U
倍加福P+F接近開關(guān)主要作用